GaN-FETのVgssはIGBTのGgeと同じ意味?ソース(Source)とエミッター(Emitter) の違いも説明
GaN FETとIGBT。ごちゃ混ぜの会話が仕事でなされているときに、わからなくなってきたのが下記の区別。 GaN-FETのVgss IGBTのGge これらは、用語は違っても同じ意味なのか? 整理しておきます。
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GaN FETとIGBT。ごちゃ混ぜの会話が仕事でなされているときに、わからなくなってきたのが下記の区別。 GaN-FETのVgss IGBTのGge これらは、用語は違っても同じ意味なのか? 整理しておきます。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)のVgeスレッショルド(ゲート・エミッタ閾値電圧)について説明します。
BLDCモータをセンサレス制御する際にモータドライバICが破壊しました。 モータドライバICが破壊される原因はさまざまですが、以下に一般的な可能性をいくつか挙げてみます。ただし、具体的な状況によって原因は異なる可能性がありますので、詳細な診断や分析が必要です。
モータ駆動回路のHighサイドMOSFETの電源にブートストラップの回路を使うメリットを教えてください。また、そもそもブートストラップ回路とは何? また、チャージポンプとの違いは?
MOSFETの逆回復時間は、大きいのと小さいのとではどちらが特性がよいのでか? またMOSFETの寄生容量(Miller容量)や逆回復に関連する電荷量(Qrr)は、大きいのと小さいのとではどちらが特性がよいのか?
三相モータが駆動中に突然電源用のバッテリーを外すことは、確かにモータドライバICを含むシステムに損傷を与える可能性があり、推奨されません。以下の理由で問題が生じることがあります:
三相モータの加速時と減速時で、相電流の波形に関しては、その「出方」が逆になるわけではありませんが、電流の大きさ、波形の特性、および電流と電圧の位相関係には変化が生じます。
MOSFETのセルフターンオンは、主に寄生要素や外部のノイズに起因する不期待のゲート電圧上昇によってMOSFETが意図せずにオン状態となる現象を指します。以下はその主な原因と、それぞれの対策について説明します。
FOC制御のパラメータ設定の1つである磁束(ウェーバー)のパラメータの求め方を書きだします。
BEMFを使ったモータのセンサレス駆動制御をしてるのですが、MOSFETのスイッチングタイミングでBEMFにパルス状のノイズが入って、ゼロクロスを誤検出して早くゼロクロス検出をしたとファームウェアで判断してしまいます。 この誤検出を避けるにはどうしたらいいですか? こんな問題への対策方法の候補を書きだしておきます。