モータ制御– category –
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GaN-FETのVgssはIGBTのGgeと同じ意味?ソース(Source)とエミッター(Emitter) の違いも説明
GaN FETとIGBT。ごちゃ混ぜの会話が仕事でなされているときに、わからなくなってきたのが下記の区別。 GaN-FETのVgss IGBTのGge これらは、用語は違っても同じ意味なのか? 整理しておきます。 結論をいうと、概ね同じ意味です。 具体的には、両者ともにデ... -
IGBTのVge(th)スレッショルドは ゲートをオンにするための閾値電圧と考えて良いか?
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）のVgeスレッショルド（ゲート・エミッタ閾値電圧）について説明します。 Vgeスレッショルド（ゲート・エミッタ閾値電圧）とは Vgeスレッショルド（Vge(th)）は、IGBTがオン状態になるために必要な最小のゲート・... -
モータドライバICの破壊原因の解析と解決手順
BLDCモータをセンサレス制御する際にモータドライバICが破壊しました。 モータドライバICが破壊される原因はさまざまですが、以下に一般的な可能性をいくつか挙げてみます。ただし、具体的な状況によって原因は異なる可能性がありますので、詳細な診断や分... -
HighサイドMOSFETの電源にブートストラップの回路を使うメリットやチャージポンプとの違いも
モータ駆動回路のHighサイドMOSFETの電源にブートストラップの回路を使うメリットを教えてください。また、そもそもブートストラップ回路とは何？ また、チャージポンプとの違いは？ ブートストラップ回路とは、モータ駆動回路やその他のハーフブリッジや... -
MOSFETの逆回復時間や寄生容量は大きいのと小さいのとではどちらが特性がよい？
MOSFETの逆回復時間は、大きいのと小さいのとではどちらが特性がよいのでか？ またMOSFETの寄生容量（Miller容量）や逆回復に関連する電荷量（Qrr）は、大きいのと小さいのとではどちらが特性がよいのか？ こんな疑問についてメモ書き。 MOSFETの逆... -
３相モータが駆動中に電源用のバッテリーを外すのは故障の原因となる?
三相モータが駆動中に突然電源用のバッテリーを外すことは、確かにモータドライバICを含むシステムに損傷を与える可能性があり、推奨されません。以下の理由で問題が生じることがあります： ３相モータが駆動中に電源用のバッテリーを外すのは故障の原因と... -
３相モータの加速時と減速時では相電流の波形の出方が逆になる？
三相モータの加速時と減速時で、相電流の波形に関しては、その「出方」が逆になるわけではありませんが、電流の大きさ、波形の特性、および電流と電圧の位相関係には変化が生じます。 ３相モータの加速時と減速時では相電流の波形の出方が逆になる？ 加速... -
MOSFETのセルフターンオンは何が原因で起きますか？セルフターンオンの対策はありますか？
MOSFETのセルフターンオンは、主に寄生要素や外部のノイズに起因する不期待のゲート電圧上昇によってMOSFETが意図せずにオン状態となる現象を指します。以下はその主な原因と、それぞれの対策について説明します。 MOSFETのセルフターンオンは何が原因で起... -
FOC制御のパラメータ設定の１つである磁束（ウェーバー）のパラメータの求め方を教えて
FOC制御のパラメータ設定の１つである磁束（ウェーバー）のパラメータの求め方を書きだします。 FOC制御の磁束の実験的な求め方 ノーロードテスト： モータを任意の一定の速度（例えば、定格速度）で回転させます。 モータ端子間の電... -
BEMFを使ったモータのセンサレス駆動制御でMOSFETのスイッチングタイミングのノイズ対策方法
BEMFを使ったモータのセンサレス駆動制御をしてるのですが、MOSFETのスイッチングタイミングでBEMFにパルス状のノイズが入って、ゼロクロスを誤検出して早くゼロクロス検出をしたとファームウェアで判断してしまいます。 この誤検出を避けるにはどうしたら...