MOSETのゲートに抵抗を入れる理由や一般的な抵抗値が何Ωくらいかが分かる本（稲葉保さん著者）

MOSFETを使った電子回路で、ゲートに抵抗値が入っています。

この抵抗はなぜ必要なのか？

その点について分かりやすく書いてある書籍が

「パワーMOSFET活用の基礎と実際実験で学ぶ高速パワースイッチングのノウハウ」

でした。

著者の稲葉保さんの書籍は、文章が非常にわかりやすいです。専門分野に詳しくない人が読んでも、比較的理解がしやすいです。

MOSFETのゲートに抵抗入れるのは安定動作のため

29ページを引用させていただきます。

安定動作の目的でゲートに数Ωから数10オームの抵抗をR_Gを挿入するのが常識です。

常識って書いてありました。

当たり前、当然のようにゲートに抵抗を入れるもの。

ということが本書で分かりました。

私は、初めて知りました。

ページ41前後には、ゲート信号に入れる抵抗値が分かると、動作がどのように変わるのか？

実測の結果を基に書いてあります。

ページ41を引用します。

スイッチング動作安定化のために挿入するのですが、とくにパワーMOSを並列接続したときに生じるON時の寄生発振を防止するときなどに効果的です。

ゲート直列抵抗が0Ω時は、負荷抵抗や配線インダクタンスによる影響を受ける。

ゲート直列抵抗値を大きくすると、立ち上がり時間と立ち上がり時間が遅くなる。この場合、

高周波ノイズが発生しにくくなる。一方で、スイッチング損失は増加する。

抵抗値を全く入れないのも問題だが、入れすぎると立ち上がりや立下りが遅くなったりする。

ちょうどいい具合のゲート直列抵抗値が必要ということ。

一般的には、数Ωから数１０Ωの抵抗値が常識的。

そのようなことが本書から分かりました。

私のような文系出身で、ソフトウェア開発がメインのエンジニアにでも、理解しやすい本です。