トランジスタによる低ドロップ型の逆接続保護回路はどんなMOSFETを使う必要がある?

この用途で使うMOSFETは、次のような条件を満たす必要があります:

項目 推奨仕様
種類 PチャネルMOSFET
動作モード エンハンスメント型(通常オフ、逆接続時も自動で遮断)
Vds耐圧 80V以上(−48Vに十分余裕をもたせる)
Rds(on) できるだけ小さい(数十mΩ以下)
Id(定格電流) 50~500mA程度(7.5mAを大きくカバー)
Vgs(th) −1V〜−2V程度(電源電圧で確実にオンになる)


目次

✅ 動作イメージ(正常接続時):

Loop+ ─── P-MOSFET ─── DC/DC Vin


GND(VSS)にゲートをプルダウン
  • 通常接続:Vgs = −(Vin − GND)でオン → 電源が供給される

  • 逆接続:Vgsが正になって自動的にオフ → 電流が遮断される!


✅ 「ディプレッション型」は不適

  • ディプレッション型(常時オン)は、逆接続を遮断できない可能性があるので不適です。

  • 必ず「エンハンスメント型(通常オフ)」を使ってください。


✅ まとめ

項目 推奨
MOSFETのタイプ Pチャネル、エンハンスメント型
必要な機能 自動で逆接続を遮断(逆流防止)
条件 耐圧80V以上、Rds(on)低、Id定格に余裕あり
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