トランジスタによる低ドロップ型の逆接続保護回路はどんなMOSFETを使う必要がある?

この用途で使うMOSFETは、次のような条件を満たす必要があります:

項目推奨仕様
種類PチャネルMOSFET
動作モードエンハンスメント型(通常オフ、逆接続時も自動で遮断)
Vds耐圧80V以上(−48Vに十分余裕をもたせる)
Rds(on)できるだけ小さい(数十mΩ以下)
Id(定格電流)50~500mA程度(7.5mAを大きくカバー)
Vgs(th)−1V〜−2V程度(電源電圧で確実にオンになる)

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✅ 動作イメージ(正常接続時):

Loop+ ─── P-MOSFET ─── DC/DC Vin


GND(VSS)にゲートをプルダウン
  • 通常接続:Vgs = −(Vin − GND)でオン → 電源が供給される

  • 逆接続:Vgsが正になって自動的にオフ → 電流が遮断される!


✅ 「ディプレッション型」は不適

  • ディプレッション型(常時オン)は、逆接続を遮断できない可能性があるので不適です。

  • 必ず「エンハンスメント型(通常オフ)」を使ってください。


✅ まとめ

項目推奨
MOSFETのタイプPチャネル、エンハンスメント型
必要な機能自動で逆接続を遮断(逆流防止)
条件耐圧80V以上、Rds(on)低、Id定格に余裕あり

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なんだかなあ、週末、長期連休になるたびに今の会社の仕事が嫌になるときってあります。

人生短いですからね。

今は人手不足だし、がまんしすぎる必要はないですね↓

テックハブニュービー

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